SQD40N10-25-T4_GE3-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有100V的漏源击穿电压（VDSS）和40A的额定漏极电流（ID）， 适用于中高功率场景。 导通电阻（RDON）低至20毫欧， 有助于降低导通损耗并提高系统效率。 器件采用标准封装形式， 具备良好的热稳定性和可靠性， 适合用于电源管理、开关电路、电机控制及LED照明等多样化电子设备中， 为电路设计提供高效、稳定的性能支持。