SQD40131EL_GE3-HXY

这款P沟道场效应管（MOSFET）额定漏源电压为40V， 连续漏极电流达50A， 导通电阻仅为10mΩ。 其低阻抗特性有效降低了导通损耗与发热， 适用于电池保护电路、负载开关及电源管理模块。 该器件在便携式设备及消费电子供电方案中， 能够实现高效的电流控制与稳定的功率切换， 满足紧凑空间下的性能需求。