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SQD40081EL_GE3-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

SQD40081EL_GE3-HXY

该P沟道场效应管具备80A漏极电流与40V漏源电压, 导通电阻为7.3毫欧。 低阻值特性有效降低导通损耗, 提升系统能效。 器件适用于笔记本电脑电源管理、电池保护电路及便携式设备负载开关。 在高电流切换场景中, 其参数支持紧凑化设计, 满足消费电子与通信终端对功率密度及热性能的严格要求, 确保电路稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

49

货期

现货

SQD40081EL_GE3-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存49

SQD40081EL_GE3-HXY概述

该P沟道场效应管具备80A漏极电流与40V漏源电压, 导通电阻为7.3毫欧。 低阻值特性有效降低导通损耗, 提升系统能效。 器件适用于笔记本电脑电源管理、电池保护电路及便携式设备负载开关。 在高电流切换场景中, 其参数支持紧凑化设计, 满足消费电子与通信终端对功率密度及热性能的严格要求, 确保电路稳定运行。

SQD40081EL_GE3-HXY特性

暂无产品特性。

SQD40081EL_GE3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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