SQD40081EL_GE3-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
SQD40081EL_GE3-HXY
该P沟道场效应管具备80A漏极电流与40V漏源电压, 导通电阻为7.3毫欧。 低阻值特性有效降低导通损耗, 提升系统能效。 器件适用于笔记本电脑电源管理、电池保护电路及便携式设备负载开关。 在高电流切换场景中, 其参数支持紧凑化设计, 满足消费电子与通信终端对功率密度及热性能的严格要求, 确保电路稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
49
货期
现货
SQD40081EL_GE3-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 49 |
SQD40081EL_GE3-HXY概述
该P沟道场效应管具备80A漏极电流与40V漏源电压, 导通电阻为7.3毫欧。 低阻值特性有效降低导通损耗, 提升系统能效。 器件适用于笔记本电脑电源管理、电池保护电路及便携式设备负载开关。 在高电流切换场景中, 其参数支持紧凑化设计, 满足消费电子与通信终端对功率密度及热性能的严格要求, 确保电路稳定运行。
SQD40081EL_GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SQD40081EL_GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。
