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SQD40031EL_GE3-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

SQD40031EL_GE3-HXY

这是一款P沟道场效应管, 具有30V的漏源电压(VDSS)和120A的连续漏极电流(ID)能力, 适用于高电流开关应用。 其导通电阻低至2.5mΩ, 在大电流工作条件下可有效降低导通损耗, 提升系统效率。 器件采用先进工艺制造, 具备良好的热稳定性和开关特性, 适合用于电源管理模块、直流电压转换、电池供电设备的负载开关以及各类高密度功率控制电路中, 是实现高效能功率切换的优选器件。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

95

货期

现货

SQD40031EL_GE3-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存95

SQD40031EL_GE3-HXY概述

这是一款P沟道场效应管, 具有30V的漏源电压(VDSS)和120A的连续漏极电流(ID)能力, 适用于高电流开关应用。 其导通电阻低至2.5mΩ, 在大电流工作条件下可有效降低导通损耗, 提升系统效率。 器件采用先进工艺制造, 具备良好的热稳定性和开关特性, 适合用于电源管理模块、直流电压转换、电池供电设备的负载开关以及各类高密度功率控制电路中, 是实现高效能功率切换的优选器件。

SQD40031EL_GE3-HXY特性

暂无产品特性。

SQD40031EL_GE3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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