SQD40031EL_GE3-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
SQD40031EL_GE3-HXY
这是一款P沟道场效应管, 具有30V的漏源电压(VDSS)和120A的连续漏极电流(ID)能力, 适用于高电流开关应用。 其导通电阻低至2.5mΩ, 在大电流工作条件下可有效降低导通损耗, 提升系统效率。 器件采用先进工艺制造, 具备良好的热稳定性和开关特性, 适合用于电源管理模块、直流电压转换、电池供电设备的负载开关以及各类高密度功率控制电路中, 是实现高效能功率切换的优选器件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
95
货期
现货
SQD40031EL_GE3-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 95 |
SQD40031EL_GE3-HXY概述
这是一款P沟道场效应管, 具有30V的漏源电压(VDSS)和120A的连续漏极电流(ID)能力, 适用于高电流开关应用。 其导通电阻低至2.5mΩ, 在大电流工作条件下可有效降低导通损耗, 提升系统效率。 器件采用先进工艺制造, 具备良好的热稳定性和开关特性, 适合用于电源管理模块、直流电压转换、电池供电设备的负载开关以及各类高密度功率控制电路中, 是实现高效能功率切换的优选器件。
SQD40031EL_GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SQD40031EL_GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。
