SQD19P06-60L_T4GE3
IC
TO-252AA
可供量大可议
SQD19P06-60L_T4GE3
特性：无卤， 符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 低热阻封装。 100%进行Rg和UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。 通过AEC-Q101认证
品牌
VISHAY
封装
TO-252AA
库存
12
货期
现货
SQD19P06-60L_T4GE3参数
| 封装 | TO-252AA |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 12 |
SQD19P06-60L_T4GE3概述
特性：无卤， 符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 低热阻封装。 100%进行Rg和UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。 通过AEC-Q101认证
SQD19P06-60L_T4GE3特性
暂无产品特性。
SQD19P06-60L_T4GE3应用领域
暂无应用领域。