SQD19P06-60L_GE3-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
SQD19P06-60L_GE3-HXY
SQD19P06-60L_GE3 P沟道MOS管， 采用TO-252-2L封装， 专为紧凑型、高效率电源设计。 该器件提供60V的峰值漏源电压(VDSS)， 并支持高达30A的连续漏极电流(ID)， 确保在中高压环境下稳定工作。 其导通电阻RD(on)为48mΩ， 虽然不是最低， 但兼顾了性能与成本， 适合应用于负载开关、电源转换、低压电机驱动等领域， 是寻求可靠性和性价比平衡方案的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
200
货期
现货
SQD19P06-60L_GE3-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
SQD19P06-60L_GE3-HXY概述
SQD19P06-60L_GE3 P沟道MOS管， 采用TO-252-2L封装， 专为紧凑型、高效率电源设计。 该器件提供60V的峰值漏源电压(VDSS)， 并支持高达30A的连续漏极电流(ID)， 确保在中高压环境下稳定工作。 其导通电阻RD(on)为48mΩ， 虽然不是最低， 但兼顾了性能与成本， 适合应用于负载开关、电源转换、低压电机驱动等领域， 是寻求可靠性和性价比平衡方案的理想选择。
SQD19P06-60L_GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SQD19P06-60L_GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。