SQD10N30-330H-GE3
自营可供
IC
TO-252
SQD10N30-330H-GE3
特性：沟槽式场效应晶体管功率MOSFET。 低热阻封装。 通过AEC-Q101认证。 100%进行Rg测试
品牌
VISHAY
封装
TO-252
交期
现货
批次
—
SQD10N30-330H-GE3参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 300V |
| 耗散功率(Pd) | 107W |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:300V 电流:10A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 243 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V |
| 输入电容(Ciss) | 2.19nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 112pF |
| 商品型号 | SQD10N30-330H-GE3 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.0009 |
SQD10N30-330H-GE3概述
特性：沟槽式场效应晶体管功率MOSFET。 低热阻封装。 通过AEC-Q101认证。 100%进行Rg测试
SQD10N30-330H-GE3特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻封装
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
SQD10N30-330H-GE3应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源