SQA470EJ-T1_GE3
IC
SC-70-6L
可供量大可议
SQA470EJ-T1_GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:2.25A
品牌
VISHAY
封装
SC-70-6L
库存
1
货期
现货
SQA470EJ-T1_GE3参数
| 封装 | SC-70-6L |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 13.6W |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
| 商品型号 | SQA470EJ-T1_GE3 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 2.4e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV |
| 输入电容(Ciss) | 440pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 56pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:30V 电流:2.25A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
SQA470EJ-T1_GE3概述
1个N沟道 耐压:30V 电流:2.25A
SQA470EJ-T1_GE3特性
暂无产品特性。
SQA470EJ-T1_GE3应用领域
暂无应用领域。