SQ9945BEY-T1_GE3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SQ9945BEY-T1_GE3-HXY
型号SQ9945BEY-T1_GE3 的N+N沟道MOS管， 采用紧凑型SOP-8封装设计， 适用于高集成度和高性能电子设备。 该器件具有强大电性能， 最大工作电压VDSS高达60V， 连续电流ID高达6.5A， 满足高电压大电流应用需求。 其卓越的导通电阻RD(on)仅为32mR， 有效减少功率损耗， 提升整体能效。 广泛应用于电源转换、电机驱动、逆变器等领域， 是工程师设计高效节能电路的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
55
货期
现货
SQ9945BEY-T1_GE3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 55 |
SQ9945BEY-T1_GE3-HXY概述
型号SQ9945BEY-T1_GE3 的N+N沟道MOS管， 采用紧凑型SOP-8封装设计， 适用于高集成度和高性能电子设备。 该器件具有强大电性能， 最大工作电压VDSS高达60V， 连续电流ID高达6.5A， 满足高电压大电流应用需求。 其卓越的导通电阻RD(on)仅为32mR， 有效减少功率损耗， 提升整体能效。 广泛应用于电源转换、电机驱动、逆变器等领域， 是工程师设计高效节能电路的理想选择。
SQ9945BEY-T1_GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SQ9945BEY-T1_GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。