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SQ7414AEN-T1_BE3-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

SQ7414AEN-T1_BE3-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流为20A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻24mΩ, 栅源耐压20V。 凭借适中的电流承载能力与低导通损耗, 它适用于各类中功率开关电源、直流电机调速器及便携式设备的功率管理模块, 能够在高效电能转换与负载切换应用中提供稳定的性能表现。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

42

货期

现货

SQ7414AEN-T1_BE3-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存42

SQ7414AEN-T1_BE3-HXY概述

该N沟道场效应管额定漏极电流为20A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻24mΩ, 栅源耐压20V。 凭借适中的电流承载能力与低导通损耗, 它适用于各类中功率开关电源、直流电机调速器及便携式设备的功率管理模块, 能够在高效电能转换与负载切换应用中提供稳定的性能表现。

SQ7414AEN-T1_BE3-HXY特性

暂无产品特性。

SQ7414AEN-T1_BE3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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