SQ7414AEN-T1_BE3-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
SQ7414AEN-T1_BE3-HXY
该N沟道场效应管额定漏极电流为20A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻24mΩ, 栅源耐压20V。 凭借适中的电流承载能力与低导通损耗, 它适用于各类中功率开关电源、直流电机调速器及便携式设备的功率管理模块, 能够在高效电能转换与负载切换应用中提供稳定的性能表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
42
货期
现货
SQ7414AEN-T1_BE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 42 |
SQ7414AEN-T1_BE3-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏极电流为20A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻24mΩ, 栅源耐压20V。 凭借适中的电流承载能力与低导通损耗, 它适用于各类中功率开关电源、直流电机调速器及便携式设备的功率管理模块, 能够在高效电能转换与负载切换应用中提供稳定的性能表现。
SQ7414AEN-T1_BE3-HXY特性
暂无产品特性。
SQ7414AEN-T1_BE3-HXY应用领域
暂无应用领域。
