SQ4946CEY-T1_GE3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SQ4946CEY-T1_GE3-HXY
本款N+N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为6.5A， 漏源击穿电压VDSS为60V， 导通电阻RDON为32mΩ。 采用双沟道结构设计， 支持双向功率控制， 适用于多种中低压电路应用场景。 该器件常用于电源管理系统、电池充放电控制、DC-AC转换电路以及各类便携式电子设备中的功率调节模块， 具备良好的热稳定性与动态响应性能， 可满足多样化电路设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
168
货期
现货
SQ4946CEY-T1_GE3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 168 |
SQ4946CEY-T1_GE3-HXY概述
本款N+N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为6.5A， 漏源击穿电压VDSS为60V， 导通电阻RDON为32mΩ。 采用双沟道结构设计， 支持双向功率控制， 适用于多种中低压电路应用场景。 该器件常用于电源管理系统、电池充放电控制、DC-AC转换电路以及各类便携式电子设备中的功率调节模块， 具备良好的热稳定性与动态响应性能， 可满足多样化电路设计需求。
SQ4946CEY-T1_GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SQ4946CEY-T1_GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。