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SQ4946AEY-T1_GE3-HXY
IC

SOP-8

可供量大可议

SQ4946AEY-T1_GE3-HXY

型号SQ4946AEY-T1_GE3 的N+N沟道MOS管, 采用紧凑型SOP-8封装, 专为现代高集成、低功耗电子设备设计。 该器件拥有卓越电气性能, 额定工作电压VDSS高达60V, 连续电流ID高达6.5A, 可应对高电压大电流应用。 导通电阻RD(on)仅为32mR, 有效减少功率损耗, 提高系统效率。 广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域, 是工程师打造高性能、节能环保电路的理想组件。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOP-8

库存

124

货期

现货

SQ4946AEY-T1_GE3-HXY参数

封装SOP-8
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存124

SQ4946AEY-T1_GE3-HXY概述

型号SQ4946AEY-T1_GE3 的N+N沟道MOS管, 采用紧凑型SOP-8封装, 专为现代高集成、低功耗电子设备设计。 该器件拥有卓越电气性能, 额定工作电压VDSS高达60V, 连续电流ID高达6.5A, 可应对高电压大电流应用。 导通电阻RD(on)仅为32mR, 有效减少功率损耗, 提高系统效率。 广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域, 是工程师打造高性能、节能环保电路的理想组件。

SQ4946AEY-T1_GE3-HXY特性

暂无产品特性。

SQ4946AEY-T1_GE3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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