SQ4946AEY-T1_GE3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SQ4946AEY-T1_GE3-HXY
型号SQ4946AEY-T1_GE3 的N+N沟道MOS管, 采用紧凑型SOP-8封装, 专为现代高集成、低功耗电子设备设计。 该器件拥有卓越电气性能, 额定工作电压VDSS高达60V, 连续电流ID高达6.5A, 可应对高电压大电流应用。 导通电阻RD(on)仅为32mR, 有效减少功率损耗, 提高系统效率。 广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域, 是工程师打造高性能、节能环保电路的理想组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
124
货期
现货
SQ4946AEY-T1_GE3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 124 |
SQ4946AEY-T1_GE3-HXY概述
型号SQ4946AEY-T1_GE3 的N+N沟道MOS管, 采用紧凑型SOP-8封装, 专为现代高集成、低功耗电子设备设计。 该器件拥有卓越电气性能, 额定工作电压VDSS高达60V, 连续电流ID高达6.5A, 可应对高电压大电流应用。 导通电阻RD(on)仅为32mR, 有效减少功率损耗, 提高系统效率。 广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域, 是工程师打造高性能、节能环保电路的理想组件。
SQ4946AEY-T1_GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SQ4946AEY-T1_GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。
