SQ4917EY-T1-E3-VB
IC
SO-8
可供量大可议
SQ4917EY-T1-E3-VB
台积电流片， 长电科技封装； SOP8； P+P—Channel沟道； -60V； -5.3A； RDS(ON)=54(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=-1.7V； 采用Trench技术
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
236
货期
现货
SQ4917EY-T1-E3-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 236 |
SQ4917EY-T1-E3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； SOP8； P+P—Channel沟道； -60V； -5.3A； RDS(ON)=54(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=-1.7V； 采用Trench技术
SQ4917EY-T1-E3-VB特性
暂无产品特性。
SQ4917EY-T1-E3-VB应用领域
暂无应用领域。