SQ4410EY-T1_GE3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SQ4410EY-T1_GE3-HXY
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为13A， 漏源击穿电压VDSS为30V， 导通电阻RDON低至9.5毫欧。 该器件适用于需要高效功率控制的场景， 能够提供良好的电气性能与热稳定性。 其低导通电阻特性有助于减少能量损耗， 提高系统整体效率。 同时， 30V的漏源耐压能力使其可胜任多种中低压功率应用环境。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
145
货期
现货
SQ4410EY-T1_GE3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 145 |
SQ4410EY-T1_GE3-HXY概述
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为13A， 漏源击穿电压VDSS为30V， 导通电阻RDON低至9.5毫欧。 该器件适用于需要高效功率控制的场景， 能够提供良好的电气性能与热稳定性。 其低导通电阻特性有助于减少能量损耗， 提高系统整体效率。 同时， 30V的漏源耐压能力使其可胜任多种中低压功率应用环境。
SQ4410EY-T1_GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SQ4410EY-T1_GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。