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SQ4182EY-T1_BE3-HXY
IC

SOP-8

可供量大可议

SQ4182EY-T1_BE3-HXY

这款N沟道场效应管专为高效率电源管理场景设计, 核心优势在于3.3mR的超低导通电阻, 搭配30A连续漏极电流与30V耐压规格, 能大幅降低功率传输中的通路损耗, 减少发热对电路稳定性的影响。 ±20V的栅源极电压耐受范围, 使其可兼容多种驱动电路设计, 无需额外增加电压保护模块。 它适合用于笔记本电脑的CPU核心供电电路、USB-C快充协议的同步整流模块, 以及小型储能设备的负载开关, 在紧凑的PCB布局中实现稳定的功率切换, 满足高电流、低损耗的电路设计需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOP-8

库存

48

货期

现货

SQ4182EY-T1_BE3-HXY参数

封装SOP-8
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

SQ4182EY-T1_BE3-HXY概述

这款N沟道场效应管专为高效率电源管理场景设计, 核心优势在于3.3mR的超低导通电阻, 搭配30A连续漏极电流与30V耐压规格, 能大幅降低功率传输中的通路损耗, 减少发热对电路稳定性的影响。 ±20V的栅源极电压耐受范围, 使其可兼容多种驱动电路设计, 无需额外增加电压保护模块。 它适合用于笔记本电脑的CPU核心供电电路、USB-C快充协议的同步整流模块, 以及小型储能设备的负载开关, 在紧凑的PCB布局中实现稳定的功率切换, 满足高电流、低损耗的电路设计需求。

SQ4182EY-T1_BE3-HXY特性

暂无产品特性。

SQ4182EY-T1_BE3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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