SQ4182EY-T1_BE3-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
SQ4182EY-T1_BE3-HXY
这款N沟道场效应管专为高效率电源管理场景设计, 核心优势在于3.3mR的超低导通电阻, 搭配30A连续漏极电流与30V耐压规格, 能大幅降低功率传输中的通路损耗, 减少发热对电路稳定性的影响。 ±20V的栅源极电压耐受范围, 使其可兼容多种驱动电路设计, 无需额外增加电压保护模块。 它适合用于笔记本电脑的CPU核心供电电路、USB-C快充协议的同步整流模块, 以及小型储能设备的负载开关, 在紧凑的PCB布局中实现稳定的功率切换, 满足高电流、低损耗的电路设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
48
货期
现货
SQ4182EY-T1_BE3-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
SQ4182EY-T1_BE3-HXY概述
这款N沟道场效应管专为高效率电源管理场景设计, 核心优势在于3.3mR的超低导通电阻, 搭配30A连续漏极电流与30V耐压规格, 能大幅降低功率传输中的通路损耗, 减少发热对电路稳定性的影响。 ±20V的栅源极电压耐受范围, 使其可兼容多种驱动电路设计, 无需额外增加电压保护模块。 它适合用于笔记本电脑的CPU核心供电电路、USB-C快充协议的同步整流模块, 以及小型储能设备的负载开关, 在紧凑的PCB布局中实现稳定的功率切换, 满足高电流、低损耗的电路设计需求。
SQ4182EY-T1_BE3-HXY特性
暂无产品特性。
SQ4182EY-T1_BE3-HXY应用领域
暂无应用领域。
