TSOP-6
SQ3585EV-T1_GE3
󗙻 񄂹 𮧂 𛾾 W 󗙻 򘞟 V 󗙻 񄂹 𢺫 V@ 򘞟 𢺫 򏟋 µA 򘞟 񄂹 𢺫 nC@ 󺺆 񄂹 𢺫 V， 򬓹 񄂹 𢺫 nC@ 󺺆 񄂹 𢺫 V 򘞟 N+򘞟 P沟道 򘞟 򏟋 V 𛾾 𛾾 mΩ@ 󗙻 A, 󺺆 񄂹 𢺫 V， 󗙻 𮧂 𮧂 mΩ@ 󗙻 A, 󺺆 񄂹 𢺫 V 򬓹 񄂹 𢺫 𛾾 A， 򘞟 񄂹 𢺫 A 򘞟 򘞟 򏟋 pF TSOP-𮧂 贴片安装
Brand
VISHAY
Package
TSOP-6
Stock
3
货期
现货
SQ3585EV-T1_GE3Parameters
| 封装 | TSOP-6 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY/威世 |
| 批次 | 2443+ |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 77mΩ@4.5V； 166mΩ@4.5V |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC@4.5V； 2.4nC@4.5V |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
| 商品名称 | 汽车级N沟道和P沟道20V（D-S）MOSFET |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 560mW |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
| 商品型号 | SQ3585EV-T1_GE3 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 4.6e-05 |
SQ3585EV-T1_GE3概述
󗙻 񄂹 𮧂 𛾾 W 󗙻 򘞟 V 󗙻 񄂹 𢺫 V@ 򘞟 𢺫 򏟋 µA 򘞟 񄂹 𢺫 nC@ 󺺆 񄂹 𢺫 V， 򬓹 񄂹 𢺫 nC@ 󺺆 񄂹 𢺫 V 򘞟 N+򘞟 P沟道 򘞟 򏟋 V 𛾾 𛾾 mΩ@ 󗙻 A, 󺺆 񄂹 𢺫 V， 󗙻 𮧂 𮧂 mΩ@ 󗙻 A, 󺺆 񄂹 𢺫 V 򬓹 񄂹 𢺫 𛾾 A， 򘞟 񄂹 𢺫 A 򘞟 򘞟 򏟋 pF TSOP-𮧂 贴片安装
SQ3585EV-T1_GE3特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
SQ3585EV-T1_GE3应用领域
暂无应用领域。