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SQ3426EEV-T1-GE3-VB
IC

TSOP-6

可供量大可议

SQ3426EEV-T1-GE3-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单极性N型MOSFET, 采用Trench工艺制造, 适用于便携式设备、智能家居、医疗设备等领域。 SOT23-6; N—Channel沟道, 60V; 7A; RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1~2.5V

Brand

VBsemi

Package

TSOP-6

Stock

95

货期

现货

SQ3426EEV-T1-GE3-VBParameters

封装TSOP-6
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存95

SQ3426EEV-T1-GE3-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单极性N型MOSFET, 采用Trench工艺制造, 适用于便携式设备、智能家居、医疗设备等领域。 SOT23-6; N—Channel沟道, 60V; 7A; RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1~2.5V

SQ3426EEV-T1-GE3-VB特性

暂无产品特性。

SQ3426EEV-T1-GE3-VB应用领域

暂无应用领域。

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