SQ2398ES-T1_BE3-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有100V的漏源击穿电压（VDSS）和2A的额定漏极电流（ID）， 导通电阻（RDON）为220mΩ， 适用于需要高效开关和低导通损耗的电路设计。 其较高的耐压能力和稳定的电流承载性能， 使其可应用于电源管理、直流变换器、负载开关以及各类嵌入式电子设备中， 满足多种基础电力电子变换需求。