SQ2389ES-T1_GE3-VB
IC
SOT-23
可供量大可议
SQ2389ES-T1_GE3-VB
SOT23； P—Channel沟道, -40V； -3.6A； RDS(ON)=71mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.5V
品牌
VBsemi
封装
SOT-23
库存
1,475
货期
现货
SQ2389ES-T1_GE3-VB参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1475 |
SQ2389ES-T1_GE3-VB概述
SOT23； P—Channel沟道, -40V； -3.6A； RDS(ON)=71mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.5V
SQ2389ES-T1_GE3-VB特性
暂无产品特性。
SQ2389ES-T1_GE3-VB应用领域
暂无应用领域。