SQ2362CES-T1_GE3
IC
SOT-23-3
可供量大可议
SQ2362CES-T1_GE3
特性：SOT-23 (TO-236)封装。 TrenchFET功率MOSFET， 通过AEC-Q101认证。 100%进行Rg和UIS测试。 无铅和无卤
品牌
VISHAY
封装
SOT-23-3
库存
3,287
货期
现货
SQ2362CES-T1_GE3参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3287 |
SQ2362CES-T1_GE3概述
特性：SOT-23 (TO-236)封装。 TrenchFET功率MOSFET， 通过AEC-Q101认证。 100%进行Rg和UIS测试。 无铅和无卤
SQ2362CES-T1_GE3特性
暂无产品特性。
SQ2362CES-T1_GE3应用领域
暂无应用领域。