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SQ2361CEES-T1_GE3
Available可供
IC

SOT-23

SQ2361CEES-T1_GE3

功率场效应管 MOSFET P通道 60 V 2.8 A 0.17 ohm SOT-23

Brand

VISHAY

Package

SOT-23

交期

现货

Date Code

两年内

SQ2361CEES-T1_GE3Parameters

封装SOT-23
品牌VISHAY(威世)
批次两年内
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))230mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))2.5V
输入电容(Ciss)620pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)80pF
分类场效应管(MOSFET)
库存6,000
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)2W
栅极电荷量(Qg)15nC
反向传输电容(Crss)45pF
类型P沟道

SQ2361CEES-T1_GE3概述

功率场效应管 MOSFET P通道 60 V 2.8 A 0.17 ohm SOT-23

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