SQ2361CEES-T1_GE3
IC
SOT-23
可供量大可议
SQ2361CEES-T1_GE3
功率场效应管 MOSFET P通道 60 V 2.8 A 0.17 ohm SOT-23
品牌
VISHAY
封装
SOT-23
库存
9,000
货期
现货
SQ2361CEES-T1_GE3参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 620pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9,000 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF |
| 类型 | P沟道 |
SQ2361CEES-T1_GE3概述
功率场效应管 MOSFET P通道 60 V 2.8 A 0.17 ohm SOT-23
SQ2361CEES-T1_GE3特性
暂无产品特性。
SQ2361CEES-T1_GE3应用领域
暂无应用领域。