SQ2361AEES-T1_BE3
IC
SOT-23
可供量大可议
SQ2361AEES-T1_BE3
特性：沟槽式场效应晶体管功率MOSFET。 典型ESD保护：800V。 通过AEC-Q101认证。 100%进行Rg和UIS测试
品牌
VISHAY
封装
SOT-23
库存
55
货期
现货
SQ2361AEES-T1_BE3参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 55 |
SQ2361AEES-T1_BE3概述
特性：沟槽式场效应晶体管功率MOSFET。 典型ESD保护：800V。 通过AEC-Q101认证。 100%进行Rg和UIS测试
SQ2361AEES-T1_BE3特性
暂无产品特性。
SQ2361AEES-T1_BE3应用领域
暂无应用领域。