SQ2348ES-T1_BE3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有5.8A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为22毫欧。 其适中的电流能力和较低的导通损耗， 使其适用于中等功率的开关应用， 如电源管理模块、负载开关及小型电机驱动等场景。 器件在30V工作电压下保持稳定性能， 适合对体积和效率有一定要求的电子设备， 可有效支持紧凑型电路设计中的高效能需求。