SQ2319CES-T1_GE3
IC
SOT-23-3
可供量大可议
SQ2319CES-T1_GE3
汽车用P沟道40V（D-S）沟槽式功率MOSFET， 通过AEC-Q101认证
品牌
VISHAY
封装
SOT-23-3
库存
8,365
货期
现货
SQ2319CES-T1_GE3参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8365 |
SQ2319CES-T1_GE3概述
汽车用P沟道40V（D-S）沟槽式功率MOSFET， 通过AEC-Q101认证
SQ2319CES-T1_GE3特性
暂无产品特性。
SQ2319CES-T1_GE3应用领域
暂无应用领域。