SQ2310ES-T1_GE3-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
SQ2310ES-T1_GE3-HXY
ID:𮧂 A, VDSS:򘞟 򏟋 V, RDON:򘞟 򘞟 mR, VGS:󗙻 򘞟 V, TYPE:N沟道
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
4,021
货期
现货
SQ2310ES-T1_GE3-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET/深圳华轩阳 |
| 批次 | 26+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4021 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
SQ2310ES-T1_GE3-HXY概述
ID:𮧂 A, VDSS:򘞟 򏟋 V, RDON:򘞟 򘞟 mR, VGS:󗙻 򘞟 V, TYPE:N沟道
SQ2310ES-T1_GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SQ2310ES-T1_GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。