SQ2310ES-T1_BE3-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为4.5A， 漏源击穿电压20V， 导通电阻典型值23mΩ， 栅源驱动电压12V。 低导通损耗特性使其适用于高效率电源转换模块、电池管理系统及便携式设备负载开关。 在直流电机驱动与LED照明电路中， 其快速开关能力有助于降低热耗散， 提升系统整体能效表现。