SQ2309ES-T1_GE3-HXY

SQ2309ES-T1_GE3 是一款P沟道MOSFET， 采用小巧的SOT-23封装， 适应高密度电路板布局。 器件提供60V的漏源耐压(VDSS)， 并能在低导通电阻160mR(RD(on))下稳定传输2A漏极电流(ID)。 适用于电池保护、负载开关、电源管理等领域， 此款MOS管以其出色的电压承受能力和高效的电流控制性能， 为您的电路设计带来更高的灵活性与可靠性。