SQ2308CES-T1_GE3-HXY

SQ2308CES-T1_GE3 N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装， 专为现代电子设备的小型化设计打造。 器件具备强大性能参数最大漏源电压(VDSS)高达60V， 持续电流(ID)高达3A， 且导通电阻(RD(on))仅为80mΩ， 确保在高负荷条件下仍能保持优异的能源效率和散热性能。 广泛适用于电源转换、电机驱动、负载开关等应用场景， 以出色的效能和稳定性， 为您提供电路设计的上乘之选。