SQ2303ES-T1_GE3
IC
SOT-23
可供量大可议
SQ2303ES-T1_GE3
特性：无卤， 符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 通过AEC-Q101认证。 100%进行Rg和UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC
品牌
VISHAY
封装
SOT-23
库存
107
货期
现货
SQ2303ES-T1_GE3参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 107 |
SQ2303ES-T1_GE3概述
特性：无卤， 符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 通过AEC-Q101认证。 100%进行Rg和UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC
SQ2303ES-T1_GE3特性
暂无产品特性。
SQ2303ES-T1_GE3应用领域
暂无应用领域。