SQ1922EEH-T1_GE3
IC
SOT-363
可供量大可议
SQ1922EEH-T1_GE3
特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg测试。 典型ESD保护：800V
品牌
VISHAY
封装
SOT-363
库存
48
货期
现货
SQ1922EEH-T1_GE3参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
SQ1922EEH-T1_GE3概述
特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg测试。 典型ESD保护：800V
SQ1922EEH-T1_GE3特性
暂无产品特性。
SQ1922EEH-T1_GE3应用领域
暂无应用领域。