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SQ1912AEEH-T1_GE3
IC

SOT-363-6

可供量大可议

SQ1912AEEH-T1_GE3

新的带铜引脚框架的双6引脚SC-70封装与现有的带合金42引脚框架的3引脚和6引脚封装相比, 可实现更低的导通电阻值和更高的热性能。 这些器件适用于需要小型封装的中小负载应用。 该封装的器件有一系列导通电阻值, 包括n沟道和p沟道版本。

品牌

VISHAY

封装

SOT-363-6

库存

99

货期

现货

SQ1912AEEH-T1_GE3参数

封装SOT-363-6
品牌VISHAY(威世)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存99

SQ1912AEEH-T1_GE3概述

新的带铜引脚框架的双6引脚SC-70封装与现有的带合金42引脚框架的3引脚和6引脚封装相比, 可实现更低的导通电阻值和更高的热性能。 这些器件适用于需要小型封装的中小负载应用。 该封装的器件有一系列导通电阻值, 包括n沟道和p沟道版本。

SQ1912AEEH-T1_GE3特性

暂无产品特性。

SQ1912AEEH-T1_GE3应用领域

暂无应用领域。

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