SQ1912AEEH-T1_GE3
IC
SOT-363-6
可供量大可议
SQ1912AEEH-T1_GE3
新的带铜引脚框架的双6引脚SC-70封装与现有的带合金42引脚框架的3引脚和6引脚封装相比, 可实现更低的导通电阻值和更高的热性能。 这些器件适用于需要小型封装的中小负载应用。 该封装的器件有一系列导通电阻值, 包括n沟道和p沟道版本。
品牌
VISHAY
封装
SOT-363-6
库存
99
货期
现货
SQ1912AEEH-T1_GE3参数
| 封装 | SOT-363-6 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
SQ1912AEEH-T1_GE3概述
新的带铜引脚框架的双6引脚SC-70封装与现有的带合金42引脚框架的3引脚和6引脚封装相比, 可实现更低的导通电阻值和更高的热性能。 这些器件适用于需要小型封装的中小负载应用。 该封装的器件有一系列导通电阻值, 包括n沟道和p沟道版本。
SQ1912AEEH-T1_GE3特性
暂无产品特性。
SQ1912AEEH-T1_GE3应用领域
暂无应用领域。
