SQ1539EH-T1_GE3-VB
IC
SOT-363
可供量大可议
SQ1539EH-T1_GE3-VB
台积电流片， 长电科技封装； SC70-6； N+P—Channel沟道； ±20V； 3.28/-2.8A； RDS(ON)=90/155(mΩ)@VGS=4.5V； VGS=±20V； Vth=1.0/-1.2V； 采用Trench技术
品牌
VBsemi
封装
SOT-363
库存
5
货期
现货
SQ1539EH-T1_GE3-VB参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
SQ1539EH-T1_GE3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； SC70-6； N+P—Channel沟道； ±20V； 3.28/-2.8A； RDS(ON)=90/155(mΩ)@VGS=4.5V； VGS=±20V； Vth=1.0/-1.2V； 采用Trench技术
SQ1539EH-T1_GE3-VB特性
暂无产品特性。
SQ1539EH-T1_GE3-VB应用领域
暂无应用领域。