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SPW35N60C3-HXY
IC

TO-247

可供量大可议

SPW35N60C3-HXY

该N沟道场效应管具有650V的漏源耐压(VDSS)和43A的连续漏极电流(ID)能力, 导通电阻(RDON)低至75mΩ, 有助于降低导通损耗并提升能效。 高耐压特性使其适用于中高压功率转换场景, 能够承受较大的电压应力。 低导通电阻在大电流工作条件下可减少发热, 提高系统热稳定性。 该器件可应用于开关电源、逆变装置、电机驱动模块及高效率DC-AC转换电路, 适合对功率密度、转换效率和运行可靠性有较高要求的电子产品设计, 为复杂电源架构提供有效的开关控制支持。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247

库存

46

货期

现货

SPW35N60C3-HXY参数

封装TO-247
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存46

SPW35N60C3-HXY概述

该N沟道场效应管具有650V的漏源耐压(VDSS)和43A的连续漏极电流(ID)能力, 导通电阻(RDON)低至75mΩ, 有助于降低导通损耗并提升能效。 高耐压特性使其适用于中高压功率转换场景, 能够承受较大的电压应力。 低导通电阻在大电流工作条件下可减少发热, 提高系统热稳定性。 该器件可应用于开关电源、逆变装置、电机驱动模块及高效率DC-AC转换电路, 适合对功率密度、转换效率和运行可靠性有较高要求的电子产品设计, 为复杂电源架构提供有效的开关控制支持。

SPW35N60C3-HXY特性

暂无产品特性。

SPW35N60C3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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