SPW35N60C3-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
SPW35N60C3-HXY
该N沟道场效应管具有650V的漏源耐压(VDSS)和43A的连续漏极电流(ID)能力, 导通电阻(RDON)低至75mΩ, 有助于降低导通损耗并提升能效。 高耐压特性使其适用于中高压功率转换场景, 能够承受较大的电压应力。 低导通电阻在大电流工作条件下可减少发热, 提高系统热稳定性。 该器件可应用于开关电源、逆变装置、电机驱动模块及高效率DC-AC转换电路, 适合对功率密度、转换效率和运行可靠性有较高要求的电子产品设计, 为复杂电源架构提供有效的开关控制支持。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
46
货期
现货
SPW35N60C3-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 46 |
SPW35N60C3-HXY概述
该N沟道场效应管具有650V的漏源耐压(VDSS)和43A的连续漏极电流(ID)能力, 导通电阻(RDON)低至75mΩ, 有助于降低导通损耗并提升能效。 高耐压特性使其适用于中高压功率转换场景, 能够承受较大的电压应力。 低导通电阻在大电流工作条件下可减少发热, 提高系统热稳定性。 该器件可应用于开关电源、逆变装置、电机驱动模块及高效率DC-AC转换电路, 适合对功率密度、转换效率和运行可靠性有较高要求的电子产品设计, 为复杂电源架构提供有效的开关控制支持。
SPW35N60C3-HXY特性
暂无产品特性。
SPW35N60C3-HXY应用领域
暂无应用领域。
