SPW20N60C3FKSA1-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
SPW20N60C3FKSA1-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的漏极电流能力， 漏源击穿电压为800V， 导通电阻为165mΩ， 栅源电压工作范围为-8V至+20V。 器件利用碳化硅材料特性， 具有优异的高频开关性能和较低的导通损耗， 适用于高效率电源、光伏逆变器、不间断电源及高频变换器等应用场合， 在提升系统效率的同时有助于降低整体热设计负担。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
8
货期
现货
SPW20N60C3FKSA1-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
SPW20N60C3FKSA1-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的漏极电流能力， 漏源击穿电压为800V， 导通电阻为165mΩ， 栅源电压工作范围为-8V至+20V。 器件利用碳化硅材料特性， 具有优异的高频开关性能和较低的导通损耗， 适用于高效率电源、光伏逆变器、不间断电源及高频变换器等应用场合， 在提升系统效率的同时有助于降低整体热设计负担。
SPW20N60C3FKSA1-HXY特性
暂无产品特性。
SPW20N60C3FKSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。