SPW16N50C3
IC
TO-247
可供量大可议
SPW16N50C3
特性：新型革命性高压技术。 超低栅极电荷。 周期性雪崩额定。 极高的dv/dt额定值。 超低有效电容。 改进的跨导。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
品牌
Infineon
封装
TO-247
库存
2
货期
现货
SPW16N50C3参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
SPW16N50C3概述
特性：新型革命性高压技术。 超低栅极电荷。 周期性雪崩额定。 极高的dv/dt额定值。 超低有效电容。 改进的跨导。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
SPW16N50C3特性
暂无产品特性。
SPW16N50C3应用领域
暂无应用领域。