SPU04N60C3-VB
IC
TO-251
可供量大可议
SPU04N60C3-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道功率场效应晶体管， 采用Plannar技术， 适用于高性能功率电子应用。 TO251； N—Channel沟道, 650V； 4A； RDS(ON)=2200mΩ@VGS=10V, VGS=±30V； Vth=3.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-251
库存
13
货期
现货
SPU04N60C3-VB参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13 |
SPU04N60C3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道功率场效应晶体管， 采用Plannar技术， 适用于高性能功率电子应用。 TO251； N—Channel沟道, 650V； 4A； RDS(ON)=2200mΩ@VGS=10V, VGS=±30V； Vth=3.5V
SPU04N60C3-VB特性
暂无产品特性。
SPU04N60C3-VB应用领域
暂无应用领域。