SPU04N60C3
IC
TO-251-3
可供量大可议
SPU04N60C3
特性：新的革命性高压技术。 超低栅极电荷。 周期性雪崩额定值。 极高的dv/dt额定值。 高峰值电流能力。 改进的跨导。 无铅镀铅； 符合RoHS标准， 可采用无卤模塑料。 完全符合JEDEC工业应用标准
品牌
Infineon
封装
TO-251-3
库存
10
货期
现货
SPU04N60C3参数
| 封装 | TO-251-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
SPU04N60C3概述
特性：新的革命性高压技术。 超低栅极电荷。 周期性雪崩额定值。 极高的dv/dt额定值。 高峰值电流能力。 改进的跨导。 无铅镀铅； 符合RoHS标准， 可采用无卤模塑料。 完全符合JEDEC工业应用标准
SPU04N60C3特性
暂无产品特性。
SPU04N60C3应用领域
暂无应用领域。