SPT40N120F1AT8TL-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
SPT40N120F1AT8TL-HXY
本产品为IGBT管/模块, 具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces), 适用于高电压和高电流的工作环境。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.9V, 有效降低导通损耗, 提升系统效率。 内置二极管的正向电流(IF)为40A, 正向压降(Vf)为2.5V, 具备良好的反向恢复特性。 该器件适用于需要高频开关与高效能转换的电力电子系统, 能够稳定运行于复杂电气环境中, 为多种高性能电源应用提供可靠支持。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
9
货期
现货
SPT40N120F1AT8TL-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 9 |
SPT40N120F1AT8TL-HXY概述
本产品为IGBT管/模块, 具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces), 适用于高电压和高电流的工作环境。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.9V, 有效降低导通损耗, 提升系统效率。 内置二极管的正向电流(IF)为40A, 正向压降(Vf)为2.5V, 具备良好的反向恢复特性。 该器件适用于需要高频开关与高效能转换的电力电子系统, 能够稳定运行于复杂电气环境中, 为多种高性能电源应用提供可靠支持。
SPT40N120F1AT8TL-HXY特性
暂无产品特性。
SPT40N120F1AT8TL-HXY应用领域
暂无应用领域。
