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SPT40N120F1AT8TL-HXY
IC

TO-247

可供量大可议

SPT40N120F1AT8TL-HXY

本产品为IGBT管/模块, 具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces), 适用于高电压和高电流的工作环境。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.9V, 有效降低导通损耗, 提升系统效率。 内置二极管的正向电流(IF)为40A, 正向压降(Vf)为2.5V, 具备良好的反向恢复特性。 该器件适用于需要高频开关与高效能转换的电力电子系统, 能够稳定运行于复杂电气环境中, 为多种高性能电源应用提供可靠支持。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247

库存

9

货期

现货

SPT40N120F1AT8TL-HXY参数

封装TO-247
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类IGBT管/模块
库存9

SPT40N120F1AT8TL-HXY概述

本产品为IGBT管/模块, 具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces), 适用于高电压和高电流的工作环境。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.9V, 有效降低导通损耗, 提升系统效率。 内置二极管的正向电流(IF)为40A, 正向压降(Vf)为2.5V, 具备良好的反向恢复特性。 该器件适用于需要高频开关与高效能转换的电力电子系统, 能够稳定运行于复杂电气环境中, 为多种高性能电源应用提供可靠支持。

SPT40N120F1AT8TL-HXY特性

暂无产品特性。

SPT40N120F1AT8TL-HXY应用领域

暂无应用领域。

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