SPP24N60CFDHKSA1-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具备20A的连续漏极电流， 漏源击穿电压为800V， 导通电阻为165mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 器件利用碳化硅材料特性， 在高电压应用中展现出较低的导通损耗和良好的开关性能。 适用于对效率与热管理有较高要求的电源转换系统， 可在高频工作条件下维持稳定运行， 满足紧凑型高耐压电路的设计需求。