SPP20N65C3
IC
TO-220
可供量大可议
SPP20N65C3
特性：新型革命性高压技术。 全球TO-220封装中最低的导通电阻RDS(on)。 超低栅极电荷。 周期性雪崩额定。 极高的dv/dt额定值。 高峰值电流能力。 改进的跨导。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
品牌
Infineon
封装
TO-220
库存
10
货期
现货
SPP20N65C3参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
SPP20N65C3概述
特性：新型革命性高压技术。 全球TO-220封装中最低的导通电阻RDS(on)。 超低栅极电荷。 周期性雪崩额定。 极高的dv/dt额定值。 高峰值电流能力。 改进的跨导。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
SPP20N65C3特性
暂无产品特性。
SPP20N65C3应用领域
暂无应用领域。