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SPP20N60C3-VB
IC

TO-220AB

可供量大可议

SPP20N60C3-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道MOSFET型号, 采用SJ_Multi-EPI技术, 适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。 TO220; N—Channel沟道, 650V; 20A; RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V, VGS=30V; Vth=2~4V

Brand

VBsemi

Package

TO-220AB

Stock

46

货期

现货

SPP20N60C3-VBParameters

封装TO-220AB
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存46

SPP20N60C3-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道MOSFET型号, 采用SJ_Multi-EPI技术, 适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。 TO220; N—Channel沟道, 650V; 20A; RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V, VGS=30V; Vth=2~4V

SPP20N60C3-VB特性

暂无产品特性。

SPP20N60C3-VB应用领域

暂无应用领域。

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