SPP18P06PHXKSA1
IC
TO-220-3
可供量大可议
SPP18P06PHXKSA1
特性：P沟道增强模式。 雪崩额定。 dv/dt额定。 175℃工作温度。 无铅引脚处理， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 根据AEC Q101标准合格
品牌
Infineon
封装
TO-220-3
库存
73
货期
现货
SPP18P06PHXKSA1参数
| 封装 | TO-220-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 73 |
SPP18P06PHXKSA1概述
特性：P沟道增强模式。 雪崩额定。 dv/dt额定。 175℃工作温度。 无铅引脚处理， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 根据AEC Q101标准合格
SPP18P06PHXKSA1特性
暂无产品特性。
SPP18P06PHXKSA1应用领域
暂无应用领域。