SPP11N60C3XKSA1
IC
TO-220-3
可供量大可议
SPP11N60C3XKSA1
特性：新的革命性高压技术。 超低栅极电荷。 周期性雪崩额定。 极高的dv/dt额定值。 高峰值电流能力。 改进的跨导。 PG-TO-220-3-31; -3-111：完全隔离封装（2500 VAC； 1分钟）。 无铅引脚镀层； 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
品牌
Infineon
封装
TO-220-3
库存
68
货期
现货
SPP11N60C3XKSA1参数
| 封装 | TO-220-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 68 |
SPP11N60C3XKSA1概述
特性：新的革命性高压技术。 超低栅极电荷。 周期性雪崩额定。 极高的dv/dt额定值。 高峰值电流能力。 改进的跨导。 PG-TO-220-3-31; -3-111：完全隔离封装（2500 VAC； 1分钟）。 无铅引脚镀层； 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
SPP11N60C3XKSA1特性
暂无产品特性。
SPP11N60C3XKSA1应用领域
暂无应用领域。