SPP04N60C3HKSA1-HXY
IC
TO-220H
可供量大可议
SPP04N60C3HKSA1-HXY
该N沟道场效应管漏源击穿电压为650V, 连续漏极电流达10A, 导通电阻典型值860mΩ, 栅源电压耐受范围±30V。 器件凭借高压耐受能力与明确的栅极驱动规格, 适用于各类高压开关电源及功率转换拓扑。 其参数配置旨在平衡耐压等级与导通特性, 适合构建高可靠性功率级, 满足复杂电气环境下的稳定运行需求, 为系统设计提供精确的功率控制基础。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220H
库存
23
货期
现货
SPP04N60C3HKSA1-HXY参数
| 封装 | TO-220H |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 23 |
SPP04N60C3HKSA1-HXY概述
该N沟道场效应管漏源击穿电压为650V, 连续漏极电流达10A, 导通电阻典型值860mΩ, 栅源电压耐受范围±30V。 器件凭借高压耐受能力与明确的栅极驱动规格, 适用于各类高压开关电源及功率转换拓扑。 其参数配置旨在平衡耐压等级与导通特性, 适合构建高可靠性功率级, 满足复杂电气环境下的稳定运行需求, 为系统设计提供精确的功率控制基础。
SPP04N60C3HKSA1-HXY特性
暂无产品特性。
SPP04N60C3HKSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
