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SPN9926AS8RG-VB
IC

SO-8

可供量大可议

SPN9926AS8RG-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款双N型MOSFET, 采用Trench工艺, 适用于需要高性能开关的电路和模块等领域。 SOP8; 2个N—Channel沟道, 20V; 7.1A; RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V, VGS=12V; Vth=0.6~1.5V

品牌

VBsemi

封装

SO-8

库存

40

货期

现货

SPN9926AS8RG-VB参数

封装SO-8
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存40

SPN9926AS8RG-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款双N型MOSFET, 采用Trench工艺, 适用于需要高性能开关的电路和模块等领域。 SOP8; 2个N—Channel沟道, 20V; 7.1A; RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V, VGS=12V; Vth=0.6~1.5V

SPN9926AS8RG-VB特性

暂无产品特性。

SPN9926AS8RG-VB应用领域

暂无应用领域。

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