SPD30P06P G-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
SPD30P06P G-HXY
这款场效应管采用P型设计， 适用于高效能应用。 其最大承受电流为15A， 额定电压高达60V， 内阻典型值为70mΩ， 栅源极电压VGS为20V。 该器件具备出色的性能和稳定性， 适合在多种应用场景中发挥关键作用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
55
货期
现货
SPD30P06P G-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 55 |
SPD30P06P G-HXY概述
这款场效应管采用P型设计， 适用于高效能应用。 其最大承受电流为15A， 额定电压高达60V， 内阻典型值为70mΩ， 栅源极电压VGS为20V。 该器件具备出色的性能和稳定性， 适合在多种应用场景中发挥关键作用。
SPD30P06P G-HXY特性
暂无产品特性。
SPD30P06P G-HXY应用领域
暂无应用领域。