SPD18P06PGBTMA1
IC
TO-252
可供量大可议
SPD18P06PGBTMA1
特性：P沟道增强模式。 雪崩额定。 dV/dt额定。 175℃工作温度。 无铅镀铅， 符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证
品牌
Infineon
封装
TO-252
库存
33
货期
现货
SPD18P06PGBTMA1参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 33 |
SPD18P06PGBTMA1概述
特性：P沟道增强模式。 雪崩额定。 dV/dt额定。 175℃工作温度。 无铅镀铅， 符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证
SPD18P06PGBTMA1特性
暂无产品特性。
SPD18P06PGBTMA1应用领域
暂无应用领域。