SPD11N10-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
SPD11N10-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为10安培, 漏源击穿电压达100伏特。 其导通电阻典型值为140毫欧, 栅源电压耐受范围为20伏特。 器件凭借低导通损耗特性, 适用于各类中低压电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的开关控制环节, 能够有效提升电路能效并优化热管理表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
40
货期
现货
SPD11N10-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
SPD11N10-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为10安培, 漏源击穿电压达100伏特。 其导通电阻典型值为140毫欧, 栅源电压耐受范围为20伏特。 器件凭借低导通损耗特性, 适用于各类中低压电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的开关控制环节, 能够有效提升电路能效并优化热管理表现。
SPD11N10-HXY特性
暂无产品特性。
SPD11N10-HXY应用领域
暂无应用领域。
