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SPD11N10-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

SPD11N10-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为10安培, 漏源击穿电压达100伏特。 其导通电阻典型值为140毫欧, 栅源电压耐受范围为20伏特。 器件凭借低导通损耗特性, 适用于各类中低压电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的开关控制环节, 能够有效提升电路能效并优化热管理表现。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

40

货期

现货

SPD11N10-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存40

SPD11N10-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为10安培, 漏源击穿电压达100伏特。 其导通电阻典型值为140毫欧, 栅源电压耐受范围为20伏特。 器件凭借低导通损耗特性, 适用于各类中低压电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的开关控制环节, 能够有效提升电路能效并优化热管理表现。

SPD11N10-HXY特性

暂无产品特性。

SPD11N10-HXY应用领域

暂无应用领域。

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