SPD09P06PLGBTMA1
IC
TO-252-3
可供量大可议
SPD09P06PLGBTMA1
特性：P沟道。 增强模式。 逻辑电平。 175°C工作温度。 雪崩额定。 dv/dt额定。 镀铅层, 符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证
品牌
Infineon
封装
TO-252-3
库存
6
货期
现货
SPD09P06PLGBTMA1参数
| 封装 | TO-252-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
SPD09P06PLGBTMA1概述
特性：P沟道。 增强模式。 逻辑电平。 175°C工作温度。 雪崩额定。 dv/dt额定。 镀铅层, 符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证
SPD09P06PLGBTMA1特性
暂无产品特性。
SPD09P06PLGBTMA1应用领域
暂无应用领域。